창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFI630GPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFI630G | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFI630GPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFI630GPBF | |
| 관련 링크 | IRFI63, IRFI630GPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | NSBA123TF3T5G | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | NSBA123TF3T5G.pdf | |
![]() | CRCW121020R0JNEB | RES SMD 20 OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW121020R0JNEB.pdf | |
| TSOP77436TR | MOD IR RCVR 36KHZ SIDE VIEW | TSOP77436TR.pdf | ||
![]() | 604111-1-C | 604111-1-C AMP/TYCO SMD or Through Hole | 604111-1-C.pdf | |
![]() | SIP2211DMP-PP | SIP2211DMP-PP VISHAY DFN-10 | SIP2211DMP-PP.pdf | |
![]() | AD321AR | AD321AR ORIGINAL SMD | AD321AR.pdf | |
![]() | R7843 | R7843 IR TO252 | R7843.pdf | |
![]() | CG51484-642 | CG51484-642 FUJNSU QFP | CG51484-642.pdf | |
![]() | MX7542TD | MX7542TD MaximIntegratedProducts Tube | MX7542TD.pdf | |
![]() | FB1F3P-T1B TEL:82766440 | FB1F3P-T1B TEL:82766440 NEC SMD or Through Hole | FB1F3P-T1B TEL:82766440.pdf | |
![]() | SFH1610A-1 | SFH1610A-1 VIS/INF DIPSOP4 | SFH1610A-1.pdf | |
![]() | 2RI100G-100C | 2RI100G-100C FUJI SMD or Through Hole | 2RI100G-100C.pdf |