Infineon Technologies IRFI4110GPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFI4110GPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRFI4110GPBF 가격 및 조달
가능 수량
11462 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,729.51100
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRFI4110GPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRFI4110GPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRFI4110GPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRFI4110GPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFI4110GPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFI4110GPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFI4110GPBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 43A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9540pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 61W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001556598 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFI4110GPBF | |
| 관련 링크 | IRFI411, IRFI4110GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRFI4110GPBF 의 관련 제품
 | AQ142M221KAJME\500 | 220pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ142M221KAJME\500.pdf | |
 | STV300NH02L | MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 | STV300NH02L.pdf | |
 | 744762133A | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 100 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | 744762133A.pdf | |
 | 44867-1001 | 44867-1001 MLX SMD or Through Hole | 44867-1001.pdf | |
| K5L6331 | K5L6331 SAMSUNG SMD | K5L6331.pdf | |
| STD0804T-271K-S | STD0804T-271K-S YAGEO SMD | STD0804T-271K-S.pdf | |
| BAS70-7-F**D1-JBL | BAS70-7-F**D1-JBL DIODESINC SMD DIP | BAS70-7-F**D1-JBL.pdf | |
| LCMXO256C-4TN100-3I | LCMXO256C-4TN100-3I LATTICE QFP128 | LCMXO256C-4TN100-3I.pdf | |
| 832A-1A-C-BH-24VDC | 832A-1A-C-BH-24VDC SONGCHU SMD or Through Hole | 832A-1A-C-BH-24VDC.pdf | |
| CC103K1KVYEAB | CC103K1KVYEAB ORIGINAL SMD or Through Hole | CC103K1KVYEAB.pdf | |
| BL-BA1G02B1-LC40-41 | BL-BA1G02B1-LC40-41 BRIGHT ROHS | BL-BA1G02B1-LC40-41.pdf | |
| LQG21N1R2K10T | LQG21N1R2K10T NA SMD | LQG21N1R2K10T.pdf |