창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFHM9391TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFHM9391TRPBF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 15/Oct/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.6m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1543pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFHM9391TRPBF-ND IRFHM9391TRPBFTR SP001570882 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFHM9391TRPBF | |
관련 링크 | IRFHM939, IRFHM9391TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MCT9001SD | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 2 Channel 8-SMD | MCT9001SD.pdf | ||
ERJ-T08J1R3V | RES SMD 1.3 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J1R3V.pdf | ||
CRCW01000000Z0EL | RES SMD 0.0 OHM JUMP 1/32W 01005 | CRCW01000000Z0EL.pdf | ||
LTC5587IDD#TRPBF | RF Detector IC CDMA, GSM, EDGE, W-CDMA 10MHz ~ 6GHz -34dBm ~ 6dBm ±1dB 12-WFDFN Exposed Pad | LTC5587IDD#TRPBF.pdf | ||
C3309 | C3309 SOY TO-22 | C3309.pdf | ||
SST25LF020 | SST25LF020 SST EEPROM | SST25LF020.pdf | ||
406549-5 | 406549-5 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 406549-5.pdf | ||
XC9119D10AMR | XC9119D10AMR TOREX SMD or Through Hole | XC9119D10AMR.pdf | ||
TRP1B05D00 | TRP1B05D00 ORIGINAL SMD or Through Hole | TRP1B05D00.pdf | ||
OM5N90A | OM5N90A IR TO-254 | OM5N90A.pdf | ||
36MB60A | 36MB60A IR SMD or Through Hole | 36MB60A.pdf |