창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFHM8337TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFHM8337(TR)PBF | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 15/Oct/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.4m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.1nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 755pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFHM8337TRPBFTR SP001572684 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFHM8337TRPBF | |
관련 링크 | IRFHM833, IRFHM8337TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | PHP00805H2180BST1 | RES SMD 218 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H2180BST1.pdf | |
![]() | RPI-130 | SENSOR OPTO SLOT 1.2X0.3 MM THD | RPI-130.pdf | |
![]() | AK2343 | AK2343 AKM TSSOP-24 | AK2343.pdf | |
![]() | SCK15105MSY | SCK15105MSY TKS DIP | SCK15105MSY.pdf | |
![]() | CM1117G | CM1117G CM SOT223 | CM1117G.pdf | |
![]() | 793609FFH1 | 793609FFH1 MC BOX | 793609FFH1.pdf | |
![]() | 44428-0801 | 44428-0801 MOLEX SMD or Through Hole | 44428-0801.pdf | |
![]() | LATBT66B-ST-1+ST-8+PQ-1 | LATBT66B-ST-1+ST-8+PQ-1 OSRAM 1210 | LATBT66B-ST-1+ST-8+PQ-1.pdf | |
![]() | KME50VB101M8X11LL | KME50VB101M8X11LL ORIGINAL SMD or Through Hole | KME50VB101M8X11LL.pdf | |
![]() | IT8712F-A HXS-GB | IT8712F-A HXS-GB ITE QFP128 | IT8712F-A HXS-GB.pdf | |
![]() | 57C291B-25DI | 57C291B-25DI WSI CDIP24 | 57C291B-25DI.pdf | |
![]() | MC-306 100.000KHZ | MC-306 100.000KHZ EPCOS SMDDIP | MC-306 100.000KHZ.pdf |