창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH7107TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFH7107PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site PQFN Devices 14/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3110pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH7107TRPBFTR SP001566012 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFH7107TRPBF | |
관련 링크 | IRFH710, IRFH7107TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
IR80EPS12 | IR80EPS12 ir SMD or Through Hole | IR80EPS12.pdf | ||
AAAIEUVQ | AAAIEUVQ ORIGINAL SMD or Through Hole | AAAIEUVQ.pdf | ||
LMV331IDCK | LMV331IDCK TI SOT323-5 | LMV331IDCK.pdf | ||
6727-RC | 6727-RC BOURNS DIP | 6727-RC.pdf | ||
54F564DM | 54F564DM ORIGINAL SMD or Through Hole | 54F564DM.pdf | ||
BH-S(M3) 1P 60A | BH-S(M3) 1P 60A ORIGINAL SMD or Through Hole | BH-S(M3) 1P 60A.pdf | ||
FM-209L | FM-209L AOUYO SMD or Through Hole | FM-209L.pdf | ||
2N1989 | 2N1989 MOT SMD or Through Hole | 2N1989.pdf | ||
SDFL2012*220K | SDFL2012*220K ORIGINAL SMD or Through Hole | SDFL2012*220K.pdf | ||
LUDZ TE-17 5.1A | LUDZ TE-17 5.1A ROHM SMD or Through Hole | LUDZ TE-17 5.1A.pdf | ||
NS1H154M04007 | NS1H154M04007 SAMWH DIP | NS1H154M04007.pdf | ||
TC9284B* | TC9284B* TOSHIBA QFP80 | TC9284B*.pdf |