Infineon Technologies IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF
제조업체 부품 번호
IRFH6200TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
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IRFH6200TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRFH6200TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFH6200PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보PQFN 5x6 RoHS Compliance
설계 리소스IRFH6200TR2PBF Saber Model
IRFH6200TR2PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Additional Assembly Site 23/Jul/2014
Assembly Site Revision 03/Feb/2015
Product Assembly Notification 10/Feb/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C49A(Ta), 100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs0.95m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.1V @ 150µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs230nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10890pF @ 10V
전력 - 최대3.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지PQFN(5x6)
표준 포장 4,000
다른 이름IRFH6200TRPBF-ND
IRFH6200TRPBFTR
SP001575628
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFH6200TRPBF
관련 링크IRFH620, IRFH6200TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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