창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFH3707TR2PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFH3707PBF | |
| 설계 리소스 | IRFH3707TR2PBF Saber Model IRFH3707TR2PBF Spice Model | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 13/Nov/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1519 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 29A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.4m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 755pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3x3) | |
| 표준 포장 | 400 | |
| 다른 이름 | IRFH3707TR2PBFTR SP001566048 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFH3707TR2PBF | |
| 관련 링크 | IRFH3707, IRFH3707TR2PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | LMK325F226ZN-T | 22µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | LMK325F226ZN-T.pdf | |
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![]() | RT0603FRD076K49L | RES SMD 6.49K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRD076K49L.pdf | |
![]() | AD5962-8688203X | AD5962-8688203X AD CAN | AD5962-8688203X.pdf | |
![]() | Z8018233FSC-Z182-Z | Z8018233FSC-Z182-Z ZIOG QFP | Z8018233FSC-Z182-Z.pdf | |
![]() | TA8653N | TA8653N TOS SMD or Through Hole | TA8653N.pdf | |
![]() | 245BDW | 245BDW TI SMD or Through Hole | 245BDW.pdf | |
![]() | PM600CJB070(IPU600A) | PM600CJB070(IPU600A) ORIGINAL IPM. | PM600CJB070(IPU600A).pdf | |
![]() | 3CK5B | 3CK5B CHINA CAN | 3CK5B.pdf | |
![]() | 90122-0768 | 90122-0768 MOLEX SMD or Through Hole | 90122-0768.pdf |