창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBG20PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFBG20,SiHFBG20 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11옴 @ 840mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 54W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFBG20PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFBG20PBF | |
관련 링크 | IRFBG2, IRFBG20PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SMBJ75CAHE3/5B | TVS DIODE 75VWM 121VC SMB | SMBJ75CAHE3/5B.pdf | ||
LP221F23IET | 22.1184MHz ±20ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP221F23IET.pdf | ||
SG3844LD | SG3844LD SG DIP-8 | SG3844LD.pdf | ||
LT1764A-EQ-1.5 | LT1764A-EQ-1.5 LT TO263 | LT1764A-EQ-1.5.pdf | ||
MIC2774N-2.2YM5 | MIC2774N-2.2YM5 MIC SOT23-5 | MIC2774N-2.2YM5.pdf | ||
PH3801 | PH3801 ST SMD-8 | PH3801.pdf | ||
CC2220GKNPO9AN153 | CC2220GKNPO9AN153 YAGEO SMD | CC2220GKNPO9AN153.pdf | ||
ADNI | ADNI ORIGINAL 5SOT-23 | ADNI.pdf | ||
TTDLF4500L | TTDLF4500L COILCRAFT SMD or Through Hole | TTDLF4500L.pdf | ||
IRFI9Z24G(85-0032) | IRFI9Z24G(85-0032) IR TO-220F | IRFI9Z24G(85-0032).pdf | ||
LTC6803IG-2PBF | LTC6803IG-2PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LTC6803IG-2PBF.pdf |