Vishay BC Components IRFBG20L

IRFBG20L
제조업체 부품 번호
IRFBG20L
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
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내부 부품 번호EIS-IRFBG20L
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11옴 @ 840mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs38nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds500pF @ 25V
전력 - 최대54W
작동 온도-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK
표준 포장 50
다른 이름*IRFBG20L
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFBG20L
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