창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBF30STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBF30S, SIHFBF30S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBF30STRR | |
| 관련 링크 | IRFBF3, IRFBF30STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PLT0603Z5830LBTS | RES SMD 583 OHM 0.01% 0.15W 0603 | PLT0603Z5830LBTS.pdf | |
![]() | Y008928R9480AR0L | RES 28.948 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y008928R9480AR0L.pdf | |
![]() | AT93C46N-10SC | AT93C46N-10SC AT 3.9mm | AT93C46N-10SC.pdf | |
![]() | KTC3876/WY | KTC3876/WY CJ SOT-23 | KTC3876/WY.pdf | |
![]() | CM23C512-3LP | CM23C512-3LP ORIGINAL SMD or Through Hole | CM23C512-3LP.pdf | |
![]() | 1PMT5933BT1 | 1PMT5933BT1 ONS Call | 1PMT5933BT1.pdf | |
![]() | 267M5002334KR | 267M5002334KR MATSUO SMD | 267M5002334KR.pdf | |
![]() | K6T4008V1C-TF85 | K6T4008V1C-TF85 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T4008V1C-TF85.pdf | |
![]() | JXS0000-1311F | JXS0000-1311F Hosiden SMD or Through Hole | JXS0000-1311F.pdf | |
![]() | NJM4580M-TE1-#ZZZB | NJM4580M-TE1-#ZZZB JRC 16-DIP | NJM4580M-TE1-#ZZZB.pdf | |
![]() | H9700F | H9700F HP DIP-4 | H9700F.pdf |