창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBF30STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBF30S, SIHFBF30S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBF30STRR | |
| 관련 링크 | IRFBF3, IRFBF30STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PM-5R0H155-R | 1.5F Supercap 5V Radial, Can, Horizontal 100 mOhm 1000 Hrs @ 60°C 0.906" L x 0.839" W (23.00mm x 21.30mm) | PM-5R0H155-R.pdf | |
![]() | B69967N2047D760 | B69967N2047D760 EPCOS SMD or Through Hole | B69967N2047D760.pdf | |
![]() | M67134 | M67134 MIT SIP-13P | M67134.pdf | |
![]() | MM54HC20J | MM54HC20J NSC CDIP14 | MM54HC20J.pdf | |
![]() | PC714V6 | PC714V6 SHARP SMD DIP | PC714V6.pdf | |
![]() | TM7752 | TM7752 TM SOP24 | TM7752.pdf | |
![]() | CY62147CY18LL-70BAI | CY62147CY18LL-70BAI CY BGA | CY62147CY18LL-70BAI.pdf | |
![]() | CC0805C0G820J050 | CC0805C0G820J050 N/A SMD or Through Hole | CC0805C0G820J050.pdf | |
![]() | 450V560000UF | 450V560000UF nippon SMD or Through Hole | 450V560000UF.pdf | |
![]() | TMS57053FT | TMS57053FT TI/BB SMD or Through Hole | TMS57053FT.pdf | |
![]() | 93LC56CIP | 93LC56CIP mct SMD or Through Hole | 93LC56CIP.pdf |