창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBE30PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFBE30 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFBE30PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFBE30PBF | |
관련 링크 | IRFBE3, IRFBE30PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | NTMFS4841NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL | NTMFS4841NT1G.pdf | |
![]() | RMCF0402FT1M24 | RES SMD 1.24M OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT1M24.pdf | |
![]() | TNY174DG | TNY174DG POWER/ SOIC-7 | TNY174DG.pdf | |
![]() | LTC3726CGN | LTC3726CGN LTC SSOP | LTC3726CGN.pdf | |
![]() | FB23N15D | FB23N15D IR TO-220 | FB23N15D.pdf | |
![]() | 8060507-0000 | 8060507-0000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8060507-0000.pdf | |
![]() | AP2406ES5-1 | AP2406ES5-1 Chipown SMD or Through Hole | AP2406ES5-1.pdf | |
![]() | HT102/BIA400 | HT102/BIA400 Headland PLCC | HT102/BIA400.pdf | |
![]() | KGM1206HCTTE1022A | KGM1206HCTTE1022A koa SMD or Through Hole | KGM1206HCTTE1022A.pdf | |
![]() | MAX6378XR44+T | MAX6378XR44+T MAXIM SOT23 | MAX6378XR44+T.pdf | |
![]() | TBB1015 | TBB1015 RENESAS SOT363 | TBB1015.pdf | |
![]() | QSA157 | QSA157 LIM SMD or Through Hole | QSA157.pdf |