창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBC30ASPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBC30AS,AL, SiHFBC30AS,AL | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFBC30ASPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBC30ASPBF | |
| 관련 링크 | IRFBC30, IRFBC30ASPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1808A470KBHAT4X | 47pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A470KBHAT4X.pdf | |
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![]() | D2F-01L | D2F-01L OMRON SMD or Through Hole | D2F-01L.pdf | |
![]() | TY9000AC00C0GG | TY9000AC00C0GG TOSHIBA BGA | TY9000AC00C0GG.pdf | |
![]() | EPF6016AFC256-3 | EPF6016AFC256-3 ALTERA BGA | EPF6016AFC256-3.pdf | |
![]() | 474K250D13L4 | 474K250D13L4 KEMET SMD or Through Hole | 474K250D13L4.pdf | |
![]() | MAX7135CPL | MAX7135CPL ORIGINAL DIP | MAX7135CPL.pdf | |
![]() | ECEA1CA103BB | ECEA1CA103BB ORIGINAL DIP | ECEA1CA103BB.pdf | |
![]() | GRM36CH430J50Z | GRM36CH430J50Z ORIGINAL SMD | GRM36CH430J50Z.pdf |