창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFBC20STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFBC20S,L, SiHFBC20S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFBC20STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFBC20S, IRFBC20STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ2225Y184KBCAT4X | 0.18µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y184KBCAT4X.pdf | |
![]() | PE-0805CD910JTT | 91nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 440 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CD910JTT.pdf | |
![]() | G2R-1-SNDI DC6(S) | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 6VDC Coil Socketable | G2R-1-SNDI DC6(S).pdf | |
![]() | TNPW060351K0BEEA | RES SMD 51K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060351K0BEEA.pdf | |
![]() | 8059-2G10 | 8059-2G10 THOMAS SMD or Through Hole | 8059-2G10.pdf | |
![]() | CXD1809R | CXD1809R SONY TQFP | CXD1809R.pdf | |
![]() | KR08AS-8 | KR08AS-8 KEXIN SOT89 | KR08AS-8.pdf | |
![]() | A585M | A585M MITSUBI SOT23-5 | A585M.pdf | |
![]() | CAT823TTBI-GT3 | CAT823TTBI-GT3 ONSEMI SOT-353 | CAT823TTBI-GT3.pdf |