창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB9N60APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB9N60A, SiHFB9N60A Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFB9N60APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB9N60APBF | |
| 관련 링크 | IRFB9N6, IRFB9N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SA36C | TVS DIODE 36VWM 61.01VC DO204AC | SA36C.pdf | |
![]() | V625LU80BPX2855 | VARISTOR 1000V 6.5KA DISC 20MM | V625LU80BPX2855.pdf | |
![]() | CMF50261K00FKR6 | RES 261K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50261K00FKR6.pdf | |
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![]() | A42MX09-FPL84C | A42MX09-FPL84C ACTEL PLCC | A42MX09-FPL84C.pdf | |
![]() | IDT49FCT805BTPY-TL | IDT49FCT805BTPY-TL ORIGINAL TSSOP | IDT49FCT805BTPY-TL.pdf | |
![]() | PCS-044-1 | PCS-044-1 Augat CONNECTOR | PCS-044-1.pdf | |
![]() | N3862PG | N3862PG NIKOS DIP-8 | N3862PG.pdf | |
![]() | FM24C18A-P | FM24C18A-P RIC SMD or Through Hole | FM24C18A-P.pdf | |
![]() | FTSH-117-02-S-D-RA-ES | FTSH-117-02-S-D-RA-ES SAMTECINC SMD or Through Hole | FTSH-117-02-S-D-RA-ES.pdf | |
![]() | S8853 | S8853 Toshiba SMD or Through Hole | S8853.pdf |