창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB7530PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7530PbF | |
주요제품 | 60 V StrongIRFET Power MOSFETs | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 411nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13703pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001575524 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB7530PBF | |
관련 링크 | IRFB75, IRFB7530PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SG3225EAN 200.000000M-KEGA3 | 200MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5 V ~ 3.3 V 65mA Enable/Disable | SG3225EAN 200.000000M-KEGA3.pdf | ||
RT0805WRD0786K6L | RES SMD 86.6KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD0786K6L.pdf | ||
35TKV100M8*10.5 | 35TKV100M8*10.5 RUBYCON SMD | 35TKV100M8*10.5.pdf | ||
1447197-5 | 1447197-5 ORIGINAL STOCK | 1447197-5.pdf | ||
ELXA201LGB471TA50M | ELXA201LGB471TA50M NIPPON SMD or Through Hole | ELXA201LGB471TA50M.pdf | ||
37GB24V30RPM | 37GB24V30RPM ORIGINAL SMD or Through Hole | 37GB24V30RPM.pdf | ||
GP02N120 | GP02N120 INFINEON TO-220 | GP02N120.pdf | ||
50.000MHZ DS0221SR | 50.000MHZ DS0221SR KDS DS0221SR(22.5)AE | 50.000MHZ DS0221SR.pdf | ||
MX581UH/883B | MX581UH/883B MAXIM CAN | MX581UH/883B.pdf | ||
S80824ALNP-EAM-T2 | S80824ALNP-EAM-T2 SEIKO SC82 | S80824ALNP-EAM-T2.pdf | ||
AIC1730-285CQ/EB2J | AIC1730-285CQ/EB2J AIC SOT23-6 | AIC1730-285CQ/EB2J.pdf | ||
TF2L5V | TF2L5V NAIS SMD or Through Hole | TF2L5V.pdf |