창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB7446GPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB7446GPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 09/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3183pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 99W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001566710 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB7446GPBF | |
| 관련 링크 | IRFB744, IRFB7446GPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | TCSCS1E106KCAR(25V10UF) | TCSCS1E106KCAR(25V10UF) SAMSUNG C | TCSCS1E106KCAR(25V10UF).pdf | |
![]() | BTA24-600C/B | BTA24-600C/B ST TO-220 | BTA24-600C/B.pdf | |
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![]() | NCP5425DBG2G | NCP5425DBG2G ON SSOP | NCP5425DBG2G.pdf | |
![]() | CXA3803 | CXA3803 SONY QFP80 | CXA3803.pdf | |
![]() | CDRH3D14EHPNP-100PC | CDRH3D14EHPNP-100PC SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH3D14EHPNP-100PC.pdf | |
![]() | APS6659EK-T1 | APS6659EK-T1 APS SOT23-6 | APS6659EK-T1.pdf | |
![]() | IDI400MP-050 | IDI400MP-050 FUJITSU ROHS | IDI400MP-050.pdf | |
![]() | K4D623237M-QC67ES | K4D623237M-QC67ES SAMSUNG SMD or Through Hole | K4D623237M-QC67ES.pdf |