창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4332PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB4332PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4332PBF Saber Model IRFB4332PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001556040 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB4332PBF | |
관련 링크 | IRFB43, IRFB4332PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | GRM0225C1E8R7WDAEL | 8.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E8R7WDAEL.pdf | |
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![]() | UMK43C106MMT | UMK43C106MMT TAIYO SMD | UMK43C106MMT.pdf | |
![]() | 170/182 | 170/182 POLYMEROPTICS SMD or Through Hole | 170/182.pdf | |
![]() | W9316 | W9316 ORIGINAL SMD or Through Hole | W9316.pdf | |
![]() | 1AB09915 | 1AB09915 ALCATEL QFP-144 | 1AB09915.pdf | |
![]() | SCDS4D18T-121T-N | SCDS4D18T-121T-N CHILISIN SMD | SCDS4D18T-121T-N.pdf | |
![]() | KA5M0165RI | KA5M0165RI FSC TO-220-5 | KA5M0165RI.pdf | |
![]() | SN74ALVTH16245A | SN74ALVTH16245A TI SSOP | SN74ALVTH16245A.pdf |