Infineon Technologies IRFB4229PBF

IRFB4229PBF
제조업체 부품 번호
IRFB4229PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
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내부 부품 번호EIS-IRFB4229PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFB4229PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRFB4229PBF Saber Model
IRFB4229PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C46A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs46m옴 @ 26A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs110nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4560pF @ 25V
전력 - 최대330W
작동 온도-40°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름SP001565910
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFB4229PBF
관련 링크IRFB42, IRFB4229PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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