창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB3806PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF(B,S,SL)3806PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB3806PBF Saber Model IRFB3806PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 01/Apr/2014 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.8m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1150pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001572380 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB3806PBF | |
| 관련 링크 | IRFB38, IRFB3806PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | DP11SVN20A25F | DP11S VER 20P NDET 25F M7*5MM | DP11SVN20A25F.pdf | |
![]() | SM81C256K16A1 | SM81C256K16A1 ORIGINAL SMD or Through Hole | SM81C256K16A1.pdf | |
![]() | 1SMA150Z_R2 | 1SMA150Z_R2 TSC N A | 1SMA150Z_R2.pdf | |
![]() | A1822 | A1822 TOSHIBA TO-220F | A1822.pdf | |
![]() | UA772TC | UA772TC UA DIP8 | UA772TC.pdf | |
![]() | 8520007161001 | 8520007161001 EMERSONLUODING SMD or Through Hole | 8520007161001.pdf | |
![]() | TM-11RUX-6ANA-IB-1082 | TM-11RUX-6ANA-IB-1082 HIROSE SMD | TM-11RUX-6ANA-IB-1082.pdf | |
![]() | QS3861QG8 | QS3861QG8 IDT SMD or Through Hole | QS3861QG8.pdf | |
![]() | 2DU32L | 2DU32L ORIGINAL NEW | 2DU32L.pdf | |
![]() | NDL-217 | NDL-217 JKL SMD or Through Hole | NDL-217.pdf |