창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB3607PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(B,S,SL)3607PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 14/Mar/2014 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3070pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-0093PBF 64-0093PBF-ND SP001551746 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB3607PBF | |
관련 링크 | IRFB36, IRFB3607PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SQCB7M0R3BAJME | 0.30pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M0R3BAJME.pdf | ||
P51-100-A-D-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-A-D-I36-4.5V-000-000.pdf | ||
FK306E | FK306E CHINA SMD or Through Hole | FK306E.pdf | ||
JRC224D | JRC224D JRC DIP-8 | JRC224D.pdf | ||
AD9243ASZ | AD9243ASZ ORIGINAL MQFP-44 | AD9243ASZ .pdf | ||
EUP3542-15 | EUP3542-15 ORIGINAL SOP8EP | EUP3542-15.pdf | ||
TPS75818 | TPS75818 TI TO263-5 | TPS75818.pdf | ||
DT240N20KOF | DT240N20KOF EUPEC SMD or Through Hole | DT240N20KOF.pdf | ||
E-01 | E-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | E-01.pdf | ||
DTI2250 | DTI2250 ORIGINAL SMD or Through Hole | DTI2250.pdf | ||
CR10330J | CR10330J MER SMD or Through Hole | CR10330J.pdf |