창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB3407ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB3407ZPbF | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001560202 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB3407ZPBF | |
| 관련 링크 | IRFB340, IRFB3407ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | 215R78BCGA12H | 215R78BCGA12H ATI BGA | 215R78BCGA12H.pdf | |
![]() | PVF2A104A91R00 | PVF2A104A91R00 MURATA 2 2 | PVF2A104A91R00.pdf | |
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![]() | KM44CT003CJ-7TQ1 | KM44CT003CJ-7TQ1 SAMSUNG SOP | KM44CT003CJ-7TQ1.pdf | |
![]() | S498 | S498 ORIGINAL SOP4-3.9 | S498.pdf | |
![]() | UF208TR | UF208TR JIT SMD or Through Hole | UF208TR.pdf |