창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB3006PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFB3006PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB3006PBF Saber Model IRFB3006PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 13/Jun/2014 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 170A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8970pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001570606 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFB3006PBF | |
관련 링크 | IRFB30, IRFB3006PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CGA3E2X8R1H332K080AA | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X8R1H332K080AA.pdf | ||
C0603Y472K5RAC7867 | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603Y472K5RAC7867.pdf | ||
RDER72A103K0S1H03A | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RDER72A103K0S1H03A.pdf | ||
MKT1818347254 | 0.047µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKT1818347254.pdf | ||
ASTMUPCV-33-50.000MHZ-EJ-E-T | 50MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-50.000MHZ-EJ-E-T.pdf | ||
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