창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB20N50KPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB20N50K Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 280W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFB20N50KPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB20N50KPBF | |
| 관련 링크 | IRFB20N, IRFB20N50KPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | FQD2P40TM | MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK | FQD2P40TM.pdf | |
![]() | CRCW121012K0JNEA | RES SMD 12K OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW121012K0JNEA.pdf | |
![]() | RMCF0805FT910R | RES SMD 910 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT910R.pdf | |
![]() | HB-1T1608-601JT | HB-1T1608-601JT CTC SMD or Through Hole | HB-1T1608-601JT.pdf | |
![]() | CY2292SI-1M8 | CY2292SI-1M8 CY SOP | CY2292SI-1M8.pdf | |
![]() | UPC1037C | UPC1037C NEC ZIP | UPC1037C.pdf | |
![]() | 1000402-001 | 1000402-001 ORIGINAL CAN12 | 1000402-001.pdf | |
![]() | ST20DC1-B | ST20DC1-B ST BGA | ST20DC1-B.pdf | |
![]() | AD5381BST | AD5381BST AD SMD or Through Hole | AD5381BST.pdf | |
![]() | HY5116164CJC-60 | HY5116164CJC-60 HYNIX SOJ-42 | HY5116164CJC-60.pdf | |
![]() | S70FNR04 | S70FNR04 Origin SMD or Through Hole | S70FNR04.pdf | |
![]() | C1210A123J5XAH | C1210A123J5XAH KEMET SMD or Through Hole | C1210A123J5XAH.pdf |