창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB18N50K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB18N50K Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 220W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFB18N50K | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB18N50K | |
| 관련 링크 | IRFB18, IRFB18N50K 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | KW-5R5C104-R | 100mF Supercap 5.5V Radial, Can 50 Ohm @ 1kHz 2000 Hrs @ 85°C 0.531" Dia (13.50mm) | KW-5R5C104-R.pdf | |
![]() | CAT24C02WIGT3 | CAT24C02WIGT3 CATALYST SMD or Through Hole | CAT24C02WIGT3.pdf | |
![]() | BE-CH US4F1 | BE-CH US4F1 IC-HAUS QFN-16 | BE-CH US4F1.pdf | |
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![]() | SMA.TMC | SMA.TMC ORIGINAL SMD or Through Hole | SMA.TMC.pdf | |
![]() | 47C200RN-F514 | 47C200RN-F514 TOSHIBA 42-DIP | 47C200RN-F514.pdf | |
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![]() | RM27 | RM27 BI DIP | RM27.pdf | |
![]() | TG110-S050N2RLTR . | TG110-S050N2RLTR . HALO SOP16 | TG110-S050N2RLTR ..pdf | |
![]() | MWD35012K | MWD35012K ORIGINAL SMD or Through Hole | MWD35012K.pdf | |
![]() | AM7992APC | AM7992APC AMD DIP | AM7992APC.pdf |