창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB17N50LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFB17N50L Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 9.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2760pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 220W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFB17N50LPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB17N50LPBF | |
| 관련 링크 | IRFB17N, IRFB17N50LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MBR10200CT-LJ | DIODE ARRAY 200V 5A TO220AB | MBR10200CT-LJ.pdf | |
![]() | 0372BDP1DG | 0372BDP1DG ON DIP-8 | 0372BDP1DG.pdf | |
![]() | K6T1008C2E-DL7 | K6T1008C2E-DL7 ORIGINAL DIP | K6T1008C2E-DL7.pdf | |
![]() | YC158TJR-75RL | YC158TJR-75RL PHYCOMP SMD or Through Hole | YC158TJR-75RL.pdf | |
![]() | TC7W53F/TE12L.F | TC7W53F/TE12L.F TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7W53F/TE12L.F.pdf | |
![]() | TC250/120T-B-0.5 | TC250/120T-B-0.5 RAYCHEM SMD or Through Hole | TC250/120T-B-0.5.pdf | |
![]() | ADG222KRZ-REEL | ADG222KRZ-REEL AD SMD or Through Hole | ADG222KRZ-REEL.pdf | |
![]() | ETD108E | ETD108E ECE DIP | ETD108E.pdf | |
![]() | TDA11020H/N1D00 | TDA11020H/N1D00 PHILIPS QFP | TDA11020H/N1D00.pdf | |
![]() | RD580000FN | RD580000FN TIS Call | RD580000FN.pdf | |
![]() | 2SB1018 A | 2SB1018 A ORIGINAL TO-220 | 2SB1018 A.pdf | |
![]() | SI-6901 | SI-6901 SANKEN SMD or Through Hole | SI-6901.pdf |