창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z24PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF9Z24 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF9Z24PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF9Z24PBF | |
관련 링크 | IRF9Z2, IRF9Z24PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TGHHV10R0JE | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 120W | TGHHV10R0JE.pdf | |
![]() | SBY451616-330Y | SBY451616-330Y ORIGINAL 4516 | SBY451616-330Y.pdf | |
![]() | TC420 | TC420 ORIGINAL SMD or Through Hole | TC420.pdf | |
![]() | FPF2503_NL | FPF2503_NL FAIRCHILD SOT-23-5 | FPF2503_NL.pdf | |
![]() | IE-0320X-B/IE0320X-B | IE-0320X-B/IE0320X-B WAITRONY DIP-2 | IE-0320X-B/IE0320X-B.pdf | |
![]() | MCM93425DCD | MCM93425DCD ORIGINAL CDIP | MCM93425DCD.pdf | |
![]() | NJM335D | NJM335D JRC DIP | NJM335D.pdf | |
![]() | NJM2880U1-33-TLB | NJM2880U1-33-TLB JRC S0T-89 | NJM2880U1-33-TLB.pdf | |
![]() | FCC4532-681J | FCC4532-681J OEL ChipCoil | FCC4532-681J.pdf | |
![]() | KSC5027-R-TSTU | KSC5027-R-TSTU Samsung TO220(50Tube1kBox | KSC5027-R-TSTU.pdf | |
![]() | HE2G337M30045HA173 | HE2G337M30045HA173 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2G337M30045HA173.pdf |