창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z20PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9Z20, SiHF9Z20 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 5.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF9Z20PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9Z20PBF | |
| 관련 링크 | IRF9Z2, IRF9Z20PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1-2176093-8 | RES SMD 14.3K OHM 0.1% 1/4W 0805 | 1-2176093-8.pdf | |
![]() | RT1206DRE0757R6L | RES SMD 57.6 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0757R6L.pdf | |
![]() | HY5P561634 | HY5P561634 ORIGINAL SMD or Through Hole | HY5P561634.pdf | |
![]() | M41256 | M41256 MITSUBIS ZIP | M41256.pdf | |
![]() | BL8505-241RN | BL8505-241RN BELLING SOT23-5 | BL8505-241RN.pdf | |
![]() | UA958HM | UA958HM FSC CAN | UA958HM.pdf | |
![]() | DS2VE-M-24VDC | DS2VE-M-24VDC NAIS SMD or Through Hole | DS2VE-M-24VDC.pdf | |
![]() | DG49AB8660S | DG49AB8660S ORIGINAL SMD or Through Hole | DG49AB8660S.pdf | |
![]() | TSX68040MR25B | TSX68040MR25B ORIGINAL PGA | TSX68040MR25B.pdf |