창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9630STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9630S, SiHF9630S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IRF9630STRLPBF-ND IRF9630STRLPBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9630STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRF9630S, IRF9630STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 160R-472GS | 4.7µH Unshielded Inductor 275mA 1.7 Ohm Max 2-SMD | 160R-472GS.pdf | |
![]() | MBB02070C2719DC100 | RES 27.1 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C2719DC100.pdf | |
![]() | CW0104R750JE12 | RES 4.75 OHM 13W 5% AXIAL | CW0104R750JE12.pdf | |
![]() | MSW8322CNT-LF | MSW8322CNT-LF MSTAR QFN | MSW8322CNT-LF.pdf | |
![]() | TIP142/147 | TIP142/147 ST TO-3P | TIP142/147.pdf | |
![]() | TA4011AFETE85L | TA4011AFETE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | TA4011AFETE85L.pdf | |
![]() | C68222Y=SCM9204-CV | C68222Y=SCM9204-CV SAM DIP-40 | C68222Y=SCM9204-CV.pdf | |
![]() | AD98721BRZ | AD98721BRZ AD SOP | AD98721BRZ.pdf | |
![]() | 2N699(A ,B) | 2N699(A ,B) MOT CAN3 | 2N699(A ,B).pdf | |
![]() | DFCH5881MHFJAA-TM1 | DFCH5881MHFJAA-TM1 ORIGINAL SMD or Through Hole | DFCH5881MHFJAA-TM1.pdf | |
![]() | MT002 | MT002 ORIGINAL SMD or Through Hole | MT002.pdf | |
![]() | UPL1V821RMH | UPL1V821RMH NICHICON DIP | UPL1V821RMH.pdf |