창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9540NPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9540NPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 117m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 97nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF9540NPBF 64-0103PBF 64-0103PBF-ND SP001560174 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9540NPBF | |
| 관련 링크 | IRF954, IRF9540NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | PTN1206E4321BST1 | RES SMD 4.32K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E4321BST1.pdf | |
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![]() | BLM21A11PTM00-03 | BLM21A11PTM00-03 MURATA 0805-11 | BLM21A11PTM00-03.pdf | |
![]() | ELBG160ELL222AK20S | ELBG160ELL222AK20S NIPPON SMD or Through Hole | ELBG160ELL222AK20S.pdf | |
![]() | MACX40273 | MACX40273 MAXIM SMD | MACX40273.pdf | |
![]() | LTL-42M7NMHDP1 | LTL-42M7NMHDP1 LITEON 2010 | LTL-42M7NMHDP1.pdf | |
![]() | UPC177G2T1 | UPC177G2T1 NEC SMD or Through Hole | UPC177G2T1.pdf | |
![]() | NACK4R7M63V5x6.1TR13F | NACK4R7M63V5x6.1TR13F NIC SMD | NACK4R7M63V5x6.1TR13F.pdf | |
![]() | IPD096N08N3 G | IPD096N08N3 G ORIGINAL DPAK(TO-252) | IPD096N08N3 G.pdf | |
![]() | MAX3755CMM | MAX3755CMM MAXIM TQFP | MAX3755CMM.pdf |