창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9530NPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF9530NPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF9530NPBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF9530NPBF SP001570634 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9530NPBF | |
| 관련 링크 | IRF953, IRF9530NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | 199D475X9050D2V1E3 | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V Radial 0.236" Dia (6.00mm) | 199D475X9050D2V1E3.pdf | |
![]() | PMXB56ENZ | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G | PMXB56ENZ.pdf | |
![]() | PMC-24V075W1AA | AC/DC CONVERTER 24V 75W | PMC-24V075W1AA.pdf | |
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![]() | R1170H181B-T1-F | R1170H181B-T1-F RICOH SOT89-5 | R1170H181B-T1-F.pdf | |
![]() | MV64460-B1C200 | MV64460-B1C200 MARVELL BGA | MV64460-B1C200.pdf | |
![]() | 1UFJ250V | 1UFJ250V ORIGINAL SMD or Through Hole | 1UFJ250V.pdf | |
![]() | MAX361C/D | MAX361C/D MAXIM SMD or Through Hole | MAX361C/D.pdf | |
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![]() | BX4154LNLT | BX4154LNLT PLUSE SMD or Through Hole | BX4154LNLT.pdf |