창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF840PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF840, SiHF840 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF840PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF840PBF | |
관련 링크 | IRF84, IRF840PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 74F399PC | 74F399PC NS SMD or Through Hole | 74F399PC.pdf | |
![]() | M366S0823CTSC1H/K4S640832C | M366S0823CTSC1H/K4S640832C SAM DIMM | M366S0823CTSC1H/K4S640832C.pdf | |
![]() | 1086-3.3 | 1086-3.3 ST SMD or Through Hole | 1086-3.3.pdf | |
![]() | 7E66S-1R5N | 7E66S-1R5N SAGAMI 7E66S | 7E66S-1R5N.pdf | |
![]() | LT1912EMSE #TRPBF | LT1912EMSE #TRPBF LINEAR MSOP | LT1912EMSE #TRPBF.pdf | |
![]() | SKT110F08DT | SKT110F08DT SEMIKRON SMD or Through Hole | SKT110F08DT.pdf | |
![]() | EDS2532EGBH-7BTT-F | EDS2532EGBH-7BTT-F ELPIDA FBGA | EDS2532EGBH-7BTT-F.pdf | |
![]() | IP4200CZ6 | IP4200CZ6 MOTO NULL | IP4200CZ6.pdf | |
![]() | B82720-A2102-N | B82720-A2102-N ORIGINAL SMD or Through Hole | B82720-A2102-N.pdf | |
![]() | L2A1130 | L2A1130 LSI QFP | L2A1130.pdf | |
![]() | DU1P0-05D05 | DU1P0-05D05 P-DUKE SMD or Through Hole | DU1P0-05D05.pdf |