창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840LCSTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF840LCS(L)/SiHF840LCS(L) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840LCSTRL | |
| 관련 링크 | IRF840L, IRF840LCSTRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | HSP061-4M10 | TVS DIODE 3VWM 15VC UQFN10L | HSP061-4M10.pdf | |
![]() | CRGV0603J330K | RES SMD 330K OHM 5% 1/10W 0603 | CRGV0603J330K.pdf | |
![]() | Y00074K89280V9L | RES 4.8928K OHM 0.6W 0.005% RAD | Y00074K89280V9L.pdf | |
![]() | DM8602N | DM8602N NS SMD or Through Hole | DM8602N.pdf | |
![]() | B02657BB00025 | B02657BB00025 ST SOP-28 | B02657BB00025.pdf | |
![]() | S8254AAQFT-TB-S | S8254AAQFT-TB-S SII/Seiko/ TSSOP-16 | S8254AAQFT-TB-S.pdf | |
![]() | CSTC25.00MX040-TC | CSTC25.00MX040-TC MURATA SMD or Through Hole | CSTC25.00MX040-TC.pdf | |
![]() | 132120 | 132120 AMPHENOL/WSI SMD or Through Hole | 132120.pdf | |
![]() | IRFP250H | IRFP250H FSC TO247 | IRFP250H.pdf | |
![]() | DI-6120-9 | DI-6120-9 HARRIS DIP | DI-6120-9.pdf | |
![]() | UPD78062GF-054-3BA | UPD78062GF-054-3BA NEC QFP | UPD78062GF-054-3BA.pdf | |
![]() | 3-822498-1 | 3-822498-1 TYCO SMD or Through Hole | 3-822498-1.pdf |