창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF840BPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TO-220AB Package Drawing IRF840B | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 527pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF840BPBF | |
| 관련 링크 | IRF840, IRF840BPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AI-82-33E-50.331648Y | OSC XO 3.3V 50.331648MHZ OE | SIT8208AI-82-33E-50.331648Y.pdf | |
![]() | MRF275L | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | MRF275L.pdf | |
![]() | ERJ-8BQFR47V | RES SMD 0.47 OHM 1% 1/2W 1206 | ERJ-8BQFR47V.pdf | |
![]() | MCS04020C6199FE000 | RES SMD 61.9 OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C6199FE000.pdf | |
![]() | 7005-6P4C-F1 | 7005-6P4C-F1 NeltronIndustrial SMD or Through Hole | 7005-6P4C-F1.pdf | |
![]() | D220J20C0GH6.J5R | D220J20C0GH6.J5R VISHAY DIP | D220J20C0GH6.J5R.pdf | |
![]() | LTC1663IMS8/TR | LTC1663IMS8/TR LT MSOP8 | LTC1663IMS8/TR.pdf | |
![]() | AD10642CIWM | AD10642CIWM ORIGINAL SOP24 | AD10642CIWM.pdf | |
![]() | CSC200P | CSC200P HWCAT SMD or Through Hole | CSC200P.pdf | |
![]() | 81GR1 | 81GR1 OMRON SOP-4 | 81GR1.pdf | |
![]() | HEF4081BTG | HEF4081BTG NXP SMD | HEF4081BTG.pdf | |
![]() | PL064J60BFI12 | PL064J60BFI12 SPANSION BGA | PL064J60BFI12.pdf |