창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF830LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF830S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRF830LPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF830LPBF | |
| 관련 링크 | IRF830, IRF830LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 2225GC123KAT9A | 0.012µF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225GC123KAT9A.pdf | |
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![]() | P87LPC762FN DIP20 | P87LPC762FN DIP20 NXP DIP20 | P87LPC762FN DIP20.pdf | |
![]() | P10DU-1209ELF | P10DU-1209ELF PEAK DIP14 | P10DU-1209ELF.pdf | |
![]() | M34524 | M34524 RENESAS QFP | M34524.pdf | |
![]() | SM5132ES-ET | SM5132ES-ET ORIGINAL SOP | SM5132ES-ET.pdf | |
![]() | KBU3508 | KBU3508 HY/ SMD or Through Hole | KBU3508.pdf |