창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF830LPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF830S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRF830LPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF830LPBF | |
관련 링크 | IRF830, IRF830LPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CDRH127NP-181MC | 180µH Shielded Inductor 1.3A 350 mOhm Max Nonstandard | CDRH127NP-181MC.pdf | |
![]() | CMF5522K600BEEB70 | RES 22.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5522K600BEEB70.pdf | |
![]() | P87C528FFBB | P87C528FFBB PHILIPS QFP-44 | P87C528FFBB.pdf | |
![]() | MT28F200B1 WG-6B | MT28F200B1 WG-6B MICRON TSOP48 | MT28F200B1 WG-6B.pdf | |
![]() | 87437-0833 | 87437-0833 MOLEX SMD or Through Hole | 87437-0833.pdf | |
![]() | LTC3827EMSE#PBF | LTC3827EMSE#PBF LT MSSOP10 | LTC3827EMSE#PBF.pdf | |
![]() | TCSHS0J226MPAR | TCSHS0J226MPAR SAMSUNG SMD | TCSHS0J226MPAR.pdf | |
![]() | 2SB1219-R(TX) | 2SB1219-R(TX) ORIGINAL SOT-323 | 2SB1219-R(TX).pdf | |
![]() | G6J-2P-Y-12V/DC12V | G6J-2P-Y-12V/DC12V ORIGINAL SMD or Through Hole | G6J-2P-Y-12V/DC12V.pdf | |
![]() | K7H803684CFC16 | K7H803684CFC16 SAM BGA | K7H803684CFC16.pdf | |
![]() | STRW5687 | STRW5687 SanKen TO-220-6 | STRW5687.pdf | |
![]() | WM8948 | WM8948 WOLFSON W-CSP-36 | WM8948.pdf |