창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF830ASPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF830ASPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF830ASPBF | |
| 관련 링크 | IRF830, IRF830ASPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 0315.700VXP | FUSE GLASS 700MA 250VAC 3AB 3AG | 0315.700VXP.pdf | |
![]() | MT78745 | Relay Socket DIN Rail | MT78745.pdf | |
![]() | 5-1472973-4 | RELAY TIME DELAY | 5-1472973-4.pdf | |
![]() | MCR01MRTF1200 | RES SMD 120 OHM 1% 1/16W 0402 | MCR01MRTF1200.pdf | |
![]() | CMA02040X4709GB300 | RES SMD 47 OHM 2% 0.4W 0204 | CMA02040X4709GB300.pdf | |
![]() | 2SC4408 | 2SC4408 TOSHIBA TO-92L | 2SC4408.pdf | |
![]() | BH9596FP-Y | BH9596FP-Y ROHM SOP28 | BH9596FP-Y.pdf | |
![]() | BGY584A | BGY584A PHI SMD or Through Hole | BGY584A.pdf | |
![]() | GRM1532C1H4R0CDD5J | GRM1532C1H4R0CDD5J MURATA SMD or Through Hole | GRM1532C1H4R0CDD5J.pdf | |
![]() | 326YD | 326YD ORIGINAL SOT-26 | 326YD.pdf | |
![]() | MC74LVX138DTR2G | MC74LVX138DTR2G ON SMD or Through Hole | MC74LVX138DTR2G.pdf | |
![]() | FW8203AA | FW8203AA INTEL BGA | FW8203AA.pdf |