창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF830A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF830A,SiHF830A Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRF830A | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF830A | |
| 관련 링크 | IRF8, IRF830A 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CMF5017R800FKEA | RES 17.8 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5017R800FKEA.pdf | |
![]() | 9902M | 9902M ATC SMD8 | 9902M.pdf | |
![]() | K511/1A2 | K511/1A2 KNOX DIP14 | K511/1A2.pdf | |
![]() | LT3570EFE#TR | LT3570EFE#TR LT TSSOP20 | LT3570EFE#TR.pdf | |
![]() | INT51X1 | INT51X1 N/A BGA144 | INT51X1.pdf | |
![]() | 1N3073 | 1N3073 ORIGINAL DIP | 1N3073.pdf | |
![]() | EP20K1500EBC652-1X | EP20K1500EBC652-1X ALTERA SMD or Through Hole | EP20K1500EBC652-1X.pdf | |
![]() | BTY79-500R | BTY79-500R PHI SMD or Through Hole | BTY79-500R.pdf | |
![]() | 2N3180 | 2N3180 MICROSEMI SMD | 2N3180.pdf | |
![]() | MAX8834 | MAX8834 MAX BGA | MAX8834.pdf | |
![]() | WP-9014G | WP-9014G ORIGINAL DIP16 | WP-9014G.pdf | |
![]() | KX14-30K8D-E650 | KX14-30K8D-E650 JAE SMD or Through Hole | KX14-30K8D-E650.pdf |