창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF820STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF820S, SiHF820S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF820STRLPBF | |
관련 링크 | IRF820S, IRF820STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ECS-35-17-1X | 3.579545MHz ±30ppm 수정 17pF 120옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | ECS-35-17-1X.pdf | ||
FSLU2520-330K | FSLU2520-330K Toko ChipCoil | FSLU2520-330K.pdf | ||
RE0G227M08005 | RE0G227M08005 SAMWH DIP | RE0G227M08005.pdf | ||
ISL6299AIRZT | ISL6299AIRZT Intersil QFN10 | ISL6299AIRZT.pdf | ||
ADS7844EG4 | ADS7844EG4 TI/BB SSOP QSOP20 | ADS7844EG4.pdf | ||
LD1117-1.8-A | LD1117-1.8-A UTC TO-220 | LD1117-1.8-A.pdf | ||
EPM5032JM/883 | EPM5032JM/883 ALTERA PLCC28 | EPM5032JM/883.pdf | ||
IRS21956 | IRS21956 IR SMD or Through Hole | IRS21956.pdf | ||
RU82566MMQ883 | RU82566MMQ883 INTEL BGA81 | RU82566MMQ883.pdf | ||
2N4351(MOSFET-N10PA30VTO-72) | 2N4351(MOSFET-N10PA30VTO-72) ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N4351(MOSFET-N10PA30VTO-72).pdf | ||
MPC8347ECZUAGD | MPC8347ECZUAGD ORIGINAL BGA | MPC8347ECZUAGD.pdf |