창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7946TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7946PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | StrongIRFET™ Power MOSFET Family | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | MSL Update 20/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 212nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6852pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ MX | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | IRF7946TRPBFTR SP001566584 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7946TRPBF | |
관련 링크 | IRF7946, IRF7946TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 170M6461 | FUSE SQUARE 700A 700VAC | 170M6461.pdf | |
![]() | RG3216V-1000-B-T5 | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-1000-B-T5.pdf | |
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![]() | CMF6013R300FHBF | RES 13.3 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6013R300FHBF.pdf | |
![]() | KPI210B | KPI210B KODENSHI DIP | KPI210B.pdf | |
![]() | 54HC01/BEAJC | 54HC01/BEAJC TI CDIP | 54HC01/BEAJC.pdf | |
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![]() | DNK12S0A0R30NFA | DNK12S0A0R30NFA DELTA DIP | DNK12S0A0R30NFA.pdf | |
![]() | FF9-16A-R12A | FF9-16A-R12A DDK SMD or Through Hole | FF9-16A-R12A.pdf |