창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7904PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7904PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | SO-8 MOSFET Alternate Site 11/Nov/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A, 11A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.2m옴 @ 7.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 910pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.4W, 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001555718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7904PBF | |
관련 링크 | IRF790, IRF7904PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B32653A1223K | 0.022µF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.335" W (26.50mm x 8.50mm) | B32653A1223K.pdf | |
![]() | HVCB1206FKD220K | RES SMD 220K OHM 1% 1/3W 1206 | HVCB1206FKD220K.pdf | |
![]() | AT0402DRE0711K3L | RES SMD 11.3KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0711K3L.pdf | |
![]() | WSL27262L000FEK | RES SMD 0.002 OHM 1% 3W 2726 | WSL27262L000FEK.pdf | |
![]() | ICM109S | ICM109S ORIGINAL SMD or Through Hole | ICM109S.pdf | |
![]() | PL3507C-LF | PL3507C-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | PL3507C-LF.pdf | |
![]() | MP-JUMP 600GG-00L | MP-JUMP 600GG-00L MPEGARRY Call | MP-JUMP 600GG-00L.pdf | |
![]() | LXA35LG153T35X80LL | LXA35LG153T35X80LL NIPPON SMD or Through Hole | LXA35LG153T35X80LL.pdf | |
![]() | 1-1547-805123 | 1-1547-805123 SCHALT SMD or Through Hole | 1-1547-805123.pdf |