창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7506TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7506PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Micro8 FET Cu Wire 23/Aug/2013 Copper Wire Update 08/Sep/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | Micro8™ | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7506TRPBF-ND IRF7506TRPBFTR SP001572092 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7506TRPBF | |
관련 링크 | IRF7506, IRF7506TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C0805F102K1RACAUTO | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805F102K1RACAUTO.pdf | ||
C1206F124K5RACAUTO | 0.12µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206F124K5RACAUTO.pdf | ||
BLD6G22L-150BN | BLD6G22L-150BN NXP SMD or Through Hole | BLD6G22L-150BN.pdf | ||
2SC3355 K9B | 2SC3355 K9B TASUND TO-92 | 2SC3355 K9B.pdf | ||
LA232W/HYUG-PF | LA232W/HYUG-PF LIGITEK ROHS | LA232W/HYUG-PF.pdf | ||
LM1895 | LM1895 NS DIP8 | LM1895.pdf | ||
SN74HC165WR | SN74HC165WR TI SMD or Through Hole | SN74HC165WR.pdf | ||
DF2S16 | DF2S16 TOSHIBA CST2 | DF2S16.pdf | ||
PM800 CD | PM800 CD VIA BGA | PM800 CD.pdf | ||
28F320B3TC | 28F320B3TC INTEL BGA | 28F320B3TC.pdf | ||
TC74HC11F | TC74HC11F TOS SOIC-14 | TC74HC11F.pdf | ||
MMSZ4711T1 | MMSZ4711T1 on INSTOCKPACK3000 | MMSZ4711T1.pdf |