창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7342PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7342PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF7342 Saber Model IRF7342 Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 3.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 690pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001571984 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7342PBF | |
| 관련 링크 | IRF734, IRF7342PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| UBT2D100MPD1TD | 10µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C | UBT2D100MPD1TD.pdf | ||
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![]() | FMP200FRF52-10K | RES 10K OHM 2W 1% AXIAL | FMP200FRF52-10K.pdf | |
![]() | PPTR1500AP2VN-R120 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0 V ~ 5 V Cylinder | PPTR1500AP2VN-R120.pdf | |
![]() | CR211270F | CR211270F AVX NA | CR211270F.pdf | |
![]() | HK-TGD-1-3 | HK-TGD-1-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | HK-TGD-1-3.pdf | |
![]() | 2MBI75J-140 | 2MBI75J-140 FUJI SMD or Through Hole | 2MBI75J-140.pdf | |
![]() | BA7765AS | BA7765AS ROHM SDIP-32 | BA7765AS.pdf | |
![]() | SAB3624D | SAB3624D sie SMD or Through Hole | SAB3624D.pdf | |
![]() | SS3M | SS3M EIC DO-214AA | SS3M.pdf | |
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