창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7328PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7328PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF7328TRPBF Saber Model IRF7328TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 29/Sep/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2675pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001555158 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7328PBF | |
관련 링크 | IRF732, IRF7328PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
517D226M6R3JA6AE3 | 22µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 517D226M6R3JA6AE3.pdf | ||
E3Z-D62-G2SHW-M1 | SENSOR PHOTOELECTRIC 1M M12 | E3Z-D62-G2SHW-M1.pdf | ||
TPS2097DRG4 | TPS2097DRG4 Ti SOIC-16 | TPS2097DRG4.pdf | ||
WS78L05A | WS78L05A ws TO-92 | WS78L05A.pdf | ||
PC33481PNA | PC33481PNA FREESCALE BGA | PC33481PNA.pdf | ||
1SS300/1SS181 | 1SS300/1SS181 ORIGINAL TOS-23 | 1SS300/1SS181.pdf | ||
FJN965BU | FJN965BU FAI SMD or Through Hole | FJN965BU.pdf | ||
100LEAD | 100LEAD NO QFP | 100LEAD.pdf | ||
P8AU-0505ELF | P8AU-0505ELF PEAK SIP-4 | P8AU-0505ELF.pdf | ||
K9F2G08UOA-PC80 | K9F2G08UOA-PC80 mot PGA | K9F2G08UOA-PC80.pdf | ||
M29F200B | M29F200B ST SSOP | M29F200B.pdf | ||
GLC556. | GLC556. GS DIP | GLC556..pdf |