창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7319TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7319PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRF7319PBFTR IRF7319TRPBF-ND IRF7319TRPBFTR-ND SP001563414 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7319TRPBF | |
| 관련 링크 | IRF7319, IRF7319TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SRU2016-101Y | 100µH Shielded Wirewound Inductor 190mA 4.9 Ohm Max Nonstandard | SRU2016-101Y.pdf | |
![]() | AA0402FR-075K9L | RES SMD 5.9K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-075K9L.pdf | |
![]() | Y14532K20000T9L | RES 2.2K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y14532K20000T9L.pdf | |
![]() | XC5VFX100T-2FFG1738I | XC5VFX100T-2FFG1738I XILINX BGA | XC5VFX100T-2FFG1738I.pdf | |
![]() | CM3015-30SO | CM3015-30SO CMD SOT23-5 | CM3015-30SO.pdf | |
![]() | MN662754CEA | MN662754CEA PANASONIC TQFP | MN662754CEA.pdf | |
![]() | SN74LS534N | SN74LS534N MM DIP20 | SN74LS534N.pdf | |
![]() | 2510422-0002 | 2510422-0002 TI SMD or Through Hole | 2510422-0002.pdf | |
![]() | 4L10AF1012 | 4L10AF1012 TOSH QFP | 4L10AF1012.pdf | |
![]() | PM25RL1B120300G | PM25RL1B120300G Mitsubishi SMD or Through Hole | PM25RL1B120300G.pdf | |
![]() | 51110-0860 | 51110-0860 MOLEXINC MOL | 51110-0860.pdf |