창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF730STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF730S, SiHF730S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF730STRR | |
| 관련 링크 | IRF730, IRF730STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PMBFJ175,215 | JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 | PMBFJ175,215.pdf | |
![]() | AD9271BSVZ-25 | AD9271BSVZ-25 ADI SMD or Through Hole | AD9271BSVZ-25.pdf | |
![]() | MCM6287 | MCM6287 MOT DIP22 | MCM6287.pdf | |
![]() | DS1013S-020 | DS1013S-020 ORIGINAL SOP-16 | DS1013S-020.pdf | |
![]() | MLF2012A3R3KT(0805-3.3UH) | MLF2012A3R3KT(0805-3.3UH) TDK SMD or Through Hole | MLF2012A3R3KT(0805-3.3UH).pdf | |
![]() | STRF6456R(STR-F6456R) | STRF6456R(STR-F6456R) SANKEN IC | STRF6456R(STR-F6456R).pdf | |
![]() | L8C220/H | L8C220/H LSI PLCC | L8C220/H.pdf | |
![]() | R4M2 | R4M2 Agilent DIP | R4M2.pdf | |
![]() | BR1102W-640-TR | BR1102W-640-TR STANLEY 1206 | BR1102W-640-TR.pdf | |
![]() | HL-5854BNT6860-081 | HL-5854BNT6860-081 ORIGINAL SMD or Through Hole | HL-5854BNT6860-081.pdf | |
![]() | 50V 0.1UF 5*11 | 50V 0.1UF 5*11 ORIGINAL SMD or Through Hole | 50V 0.1UF 5*11.pdf | |
![]() | 3B30-03 | 3B30-03 AD S N | 3B30-03.pdf |