창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF730APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF730APBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF730APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF730APBF | |
관련 링크 | IRF730, IRF730APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
LQW2BAS56NJ00L | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 340 mOhm Max 0806 (2015 Metric) | LQW2BAS56NJ00L.pdf | ||
CRT0402-BY-24R9GLF | RES SMD 24.9 OHM 0.1% 1/16W 0402 | CRT0402-BY-24R9GLF.pdf | ||
RG1608N-1472-D-T5 | RES SMD 14.7KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-1472-D-T5.pdf | ||
SMAJ30A(CK) | SMAJ30A(CK) VISHAY SMA | SMAJ30A(CK).pdf | ||
SWI0805FT56NJ | SWI0805FT56NJ AOBA ChipCoil | SWI0805FT56NJ.pdf | ||
74HC564C | 74HC564C NEC DIP | 74HC564C.pdf | ||
SBM84PT-GP | SBM84PT-GP CHENMKO SMB DO-214AA | SBM84PT-GP.pdf | ||
CY1001 | CY1001 CY SOP-14 | CY1001.pdf | ||
5962-9576101MRA | 5962-9576101MRA IDT CDIP | 5962-9576101MRA.pdf | ||
A22E-LP-01 | A22E-LP-01 Omron SMD or Through Hole | A22E-LP-01.pdf | ||
LQW18ANR22G00B | LQW18ANR22G00B ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW18ANR22G00B.pdf | ||
PJSOT15 | PJSOT15 Panjit SOT-23 | PJSOT15.pdf |