창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF7241PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF7241PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 29/Sep/2014 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 6.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001551208 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF7241PBF | |
| 관련 링크 | IRF724, IRF7241PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 445I23K12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23K12M00000.pdf | |
![]() | XBP9X-DMRS-001 | XBEE PRO MOD TXRX ISM 915MHZ | XBP9X-DMRS-001.pdf | |
![]() | A625308A-70SU | A625308A-70SU AMIC DIP-28 | A625308A-70SU.pdf | |
![]() | 3362P10K | 3362P10K BOURNS SMD or Through Hole | 3362P10K.pdf | |
![]() | GP1103-16CA | GP1103-16CA GP SOT23-5 | GP1103-16CA.pdf | |
![]() | 3682S-1-104L | 3682S-1-104L bourns DIP | 3682S-1-104L.pdf | |
![]() | GMBT9014B | GMBT9014B GTM SOT-23 | GMBT9014B.pdf | |
![]() | ICS527R-01I | ICS527R-01I ICS SSOP | ICS527R-01I.pdf | |
![]() | SDR0504-150 | SDR0504-150 Chilisin SMD or Through Hole | SDR0504-150.pdf | |
![]() | UPD6163ACN | UPD6163ACN NEC DIP | UPD6163ACN.pdf | |
![]() | R1190H080D-T1-F | R1190H080D-T1-F RICOH SMD or Through Hole | R1190H080D-T1-F.pdf |