창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7240PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7240PbF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 15/Apr/2014 Qualification Wafer Site 29/Sep/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 10.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001554144 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7240PBF | |
관련 링크 | IRF724, IRF7240PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MCR10EZPF3903 | RES SMD 390K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF3903.pdf | ||
C2012C0G1H103JC | C2012C0G1H103JC TDK SMD or Through Hole | C2012C0G1H103JC.pdf | ||
CR4395-EH-120-110-X-CD-ELR-I | CR4395-EH-120-110-X-CD-ELR-I CRMagneti NA | CR4395-EH-120-110-X-CD-ELR-I.pdf | ||
ICL7105CPL | ICL7105CPL MAX SMD or Through Hole | ICL7105CPL.pdf | ||
CB1A-P-DC12V | CB1A-P-DC12V NAIS RELAY | CB1A-P-DC12V.pdf | ||
GS05A | GS05A SKY SOP8 | GS05A.pdf | ||
CL201209T-R56K-S | CL201209T-R56K-S YAGEO SMD or Through Hole | CL201209T-R56K-S.pdf | ||
P11B67 | P11B67 ORIGINAL SMD or Through Hole | P11B67.pdf | ||
DFAF19N60 | DFAF19N60 DI TO-3PF | DFAF19N60.pdf | ||
LQP21A6N8C14M00-03/T | LQP21A6N8C14M00-03/T MURATA SMD or Through Hole | LQP21A6N8C14M00-03/T.pdf | ||
S1L50752F34JO | S1L50752F34JO ORIGINAL QFP | S1L50752F34JO.pdf | ||
XMKG | XMKG ORIGINAL SOT-153 | XMKG.pdf |