창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7101TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF7101PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 1.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 320pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRF7101PBFTR SP001562024 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF7101TRPBF | |
관련 링크 | IRF7101, IRF7101TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UPM2A271MHD6TN | 270µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPM2A271MHD6TN.pdf | ||
UMW1A221MDD | 220µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UMW1A221MDD.pdf | ||
BGFG235E6327 | BGFG235E6327 INFINEON SMD | BGFG235E6327.pdf | ||
TC7MZ244FK(EL) | TC7MZ244FK(EL) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7MZ244FK(EL).pdf | ||
12NRE4K | 12NRE4K jst 200bulk | 12NRE4K.pdf | ||
NSM4103J344F3R | NSM4103J344F3R ORIGINAL SMD or Through Hole | NSM4103J344F3R.pdf | ||
IRS8-0001 | IRS8-0001 Agilent MQFP | IRS8-0001.pdf | ||
HEDS-5540-A11 | HEDS-5540-A11 ORIGINAL SMD or Through Hole | HEDS-5540-A11.pdf | ||
L-4885-5P | L-4885-5P ORIGINAL SMD or Through Hole | L-4885-5P.pdf | ||
L169XHD | L169XHD KINGBRIGHT DIP | L169XHD.pdf | ||
MN9807 | MN9807 MN SOP | MN9807.pdf | ||
F30LC20U | F30LC20U ORIGINAL TO220 | F30LC20U.pdf |